隨著對科技創(chuàng)新的不斷重視和投入,新一輪的大規(guī)模設(shè)備以舊換政策為廣大高校和研究機構(gòu)帶來了的發(fā)展機遇。高質(zhì)量的科研平臺建設(shè)是提升研究水平、增強競爭力的關(guān)鍵。Forge Nano 的新型粉末原子層沉積設(shè)備不僅能夠提升研究質(zhì)量,還能打通產(chǎn)、學(xué)、研三界的橋梁,助力高校在科研的道路上邁出堅實的步伐。
粉末原子層沉積,利用其平臺技術(shù),可以在高比表面積的粉末顆粒表面構(gòu)筑超薄的納米涂層或活性組分,開發(fā)多種涂層工藝。同時,可將粉體ALD技術(shù)進行工業(yè)化放大的企業(yè)(千噸級粉末處理能力)。我們誠摯地邀請廣大科研工作者,利用新型 ALD 平臺開發(fā)可放大的粉體涂層工藝,為催化、新能源、粉末冶金以及制藥等研究方向帶來更多無限可能。
粉末技術(shù)經(jīng)過多年的發(fā)展,已經(jīng)形成多樣化的制備及加工技術(shù)。表面包覆作為提升粉末物理化學(xué)性能的重要手段,長期以來一直缺乏有效的精密手段。傳統(tǒng)的液相包覆或氣相包覆手段都無法實現(xiàn)均勻以及厚度的精密控制,限制了包覆技術(shù)的進一步發(fā)展。
原子層沉積技術(shù)(ALD)是一種自限制性的化學(xué)氣相沉積手段,通過將目標反應(yīng)拆解為若干個半反應(yīng),實現(xiàn)表面涂層的原子層級厚度控制。利用該技術(shù)制備的涂層具有:共形,無針孔,均勻的特點,對于復(fù)雜的表面界面以及高縱深比樣品有較好的沉積效果。
粉末原子層沉積(PALD)系統(tǒng)則克服了傳統(tǒng)原子層沉積無法高效處理大批量高比表面積樣品的缺點,發(fā)展出高通量的處理能力。衍生出包含:流化床,旋轉(zhuǎn)床在內(nèi)的多種粉末 ALD 形式。
ALD 技術(shù)制備的薄膜更均勻(左:溶膠凝膠法;右:ALD)
這種精度較高的包覆技術(shù)已經(jīng)被證明可用于多種組分以及納米結(jié)構(gòu)的制備,配合刻蝕還可進行復(fù)雜結(jié)構(gòu)的制備。包括:單原子/團簇催化劑,鋰電材料表面包覆,藥物制劑流動性改善,金屬粉末表面鈍化以及選擇性原子層沉積等。
PALD 技術(shù)已被驗證可制備無機以及有機的涂層
平臺建設(shè)利器:Prometheus 流化床原子層沉積系統(tǒng)
利用 Prometheus 流化床原子層沉積系統(tǒng)可開發(fā)探索復(fù)雜的高比表面積粉末涂層,同時也能將批次處理能力提升至企業(yè)驗證需求的水平,可加快成果轉(zhuǎn)化速度。適合兼顧科學(xué)研究以及成果轉(zhuǎn)化的工藝開發(fā)需求,實現(xiàn)與企業(yè)小試要求的無縫銜接。
1.功能特點:采用流化床技術(shù)實現(xiàn)粉料分散,專為粉末 ALD 設(shè)計,可實現(xiàn)克級到公斤級粉末材料的界面涂層生長。
2.適用領(lǐng)域:鋰電電極材料、負載型催化劑、藥物制劑和金屬/陶瓷粉末等
3.批次處理量:可更換腔室,選用5ml、150ml 以及 600ml 的不同批次粉料,實現(xiàn)從毫克到公斤級的粉料 ALD 處理。
4.前驅(qū)體通道:2-8(最多 4 路低蒸汽壓前驅(qū)體通道),鼓泡流化床前驅(qū)體管道設(shè)計,有效促進低蒸汽壓前驅(qū)體的輸送。
5.在線質(zhì)譜監(jiān)測:精準控制 ALD 前驅(qū)體利用率(可達 90% 利用率)
6.臭氧發(fā)生器:直接與粉末接觸的臭氧管道,在促進粉料分散的同時實現(xiàn)臭氧 dose
7.可行性驗證:對于鋰電和金屬粉材料,工業(yè)的可行性驗證需要單次百克甚至公斤級的粉料,這是傳統(tǒng) ALD 設(shè)備無法實現(xiàn)的處理量
基礎(chǔ)研究:Pandora 多功能原子層沉積系統(tǒng)
Pandora 多功能原子層沉積系統(tǒng)使用操作簡單,兼容性強,適合在前期快速開展粉末包覆和平面樣品薄膜沉積的研究。同時,該系統(tǒng)能真正做到兼顧多種不同樣品的需求,可處理各種復(fù)雜樣品并做到全 ALD 包覆。
1.功能特點:采用旋轉(zhuǎn)床反應(yīng)器,粉末在重力與離心力的共同作用下實現(xiàn)分散。通過精確的前驅(qū)體注入,實現(xiàn)高效的利用以及均勻的包覆效果。此外,外腔室可容納5L的非平面類樣品進行 ALD 測試。
2.適用領(lǐng)域:粉末類樣品,平面類樣品,三維物件(已通過 cGMP 認證)
3.腔室大小:200ml 粉末腔,5L 外腔
4.前驅(qū)體通道:3-6(基礎(chǔ)三路高蒸汽壓通道,3 路低蒸汽壓獨立通道)
5.在線質(zhì)譜監(jiān)測:精準控制 ALD 前驅(qū)體利用率(可達 90% 利用率)
催化劑
負載型催化劑材料存在比表面積大、界面不穩(wěn)定以及選擇性差等問題,通過 ALD 的方法可以改善界面,實現(xiàn)選擇性支撐層、防護層以及構(gòu)筑活性位點的多種功能。(詳見:?通量粉末原?層沉積(PALD)技術(shù)在催化劑中的應(yīng)?)
Forge Nano 與美國國家再生能源實驗室和阿貢實驗室合作,開發(fā)新一代催化劑材料。通過ALD 技術(shù),實現(xiàn) Pd/Al2O3 催化劑更高的穩(wěn)定性,在高溫條件下,可避免催化劑的燒結(jié),從而使實現(xiàn)穩(wěn)定的芳烴氫化反應(yīng)[1]。
TiO2 的包覆促進催化劑的穩(wěn)定
在另一項同樣來自美國國家可再生能源實驗室的研究中,使用高通量的 ALD 技術(shù)構(gòu)筑 Pt 催化劑涂層,可實現(xiàn) Ni/Co 納米線材料的高效催化,并防止金屬元素浸出損耗[2]。
納米線的催化劑涂層促進高效催化
鋰電電極材料包覆
以鋰離子電池為代表的電池材料,在充放電時存在容量不可逆轉(zhuǎn)的下降,甚至引起安全事故。對電極材料的包覆處理是從源頭改善電池性能的重要手段。通過包覆常規(guī)的氧化物、以及鈦/鋁的有機雜化涂層,可以明顯提升電池的電化學(xué)性能,并提升其安全性。目前,F(xiàn)orge Nano 已經(jīng)使用該技術(shù)在 6K Energy 的正極材料和Anvion 的負極材料中實現(xiàn)了量產(chǎn)的目標。
ALD 包覆后的高壓性能有明顯提升,同時其熱失控風險降低
此外,利用 ALD 的厚度可控,均勻性特點,可將部分多元化合物,電解質(zhì)涂層用 ALD 的方式在電極材料表面進行構(gòu)筑,可以有效降低涂層負載量,并進一步提升涂層性能。
粉末冶金
粉末冶金利用粉末材料鑄造型材,這對粉末材料的流動性和分散性有較高的要求。在粉末熔融的過程中,團聚顆粒以及天然氧化層中的雜質(zhì)對于最終型材的質(zhì)量會有較大影響。通過 ALD 技術(shù)進行粉末包覆后,材料的抗侵蝕,耐潮性,流動性有明顯改善,同時涂層成分的變化還可以賦予粉末功能,如改變其反射率,親水性等,擴大應(yīng)用場景[3]。
制藥
藥物粉末尤其是 API,通常為無定形或水合物狀態(tài),極易發(fā)生團聚。通過 ALD 包覆,可有效改善其分散系和流動性,這對于吸入式藥物制劑的研發(fā)有重要的促進作用。藥物親水性的調(diào)控對其在人體體液中的釋放有積極意義,而 ALD 只需幾個周期的涂層就可實現(xiàn)不同親水性或親油性的樣品包覆。
此外,對于部分熱敏感的藥物,通過 ALD 包覆可以提升其熱穩(wěn)定性,防止其發(fā)生熱解。一項合作研究表明,將經(jīng)過 ALD 包覆處理的 HPV 疫苗用于單次給藥實驗,實現(xiàn)了小鼠體內(nèi)更為持久的抗原反應(yīng)[4]。
ALD 包覆后的疫苗擁有更高的熱穩(wěn)定性和更持久的藥效
參考文獻
【1】 McNeary W W, Tacey S A, Lahti G D, et al. Atomic Layer Deposition with TiO2 for Enhanced Reactivity and Stability of Aromatic Hydrogenation Catalysts[J]. ACS Catalysis, 2021, 11: 8538-8549.
【2】Alia S M, Neyerlin K C, Hurst K, et al. Advances in Ptni Nanowire Extended Thin Film Electrocatalysts[C]//ECS Meeting Abstracts. IOP Publishing, 2018 (44): 1505.
【3】Miller J, Gillespie C, Chesser J, et al. Surface modification of organic powders for enhanced rheology via atomic layer deposition[J]. Advanced Powder Technology, 2020, 31(6): 2521-2529.
【4】Garcea R L, Meinerz N M, Dong M, et al. Single-administration, thermostable human papillomavirus vaccines prepared with atomic layer deposition technology[J]. npj Vaccines, 2020, 5(1): 1-8.
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