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掃描電子顯微鏡（SEM）是依靠電子束與樣品相互作用產(chǎn)生俄歇電子、特征 X 射線和連續(xù)譜 X 射線、背散射電子等信號(hào)，對(duì)樣品進(jìn)行分析研究。

掃描電鏡在表征樣品時(shí)，受諸多參數(shù)的影響，不同類型樣品應(yīng)選用合適的參數(shù)，才能呈現(xiàn)出樣品更真實(shí)的表面信息。如在不同的加速電壓下，電子束與樣品作用所獲得的信號(hào)會(huì)有很大的差別。從理論上說，入射電子在樣品中的散射軌跡可用 Monte Carlo 的方法模擬（如圖1 所示），并且推導(dǎo)得到入射電子大穿透深度 Zmax。

Z_max=0.0019(A / Z)^1.63E₀^1.71/ρ

圖1 電子在鈦（Ti）金屬中的運(yùn)動(dòng)軌跡